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（以下内容从华金证券《存储行业系列报告：AI大模型引爆需求，存储行业站上新一轮成长周期》研报附件原文摘录）　　核心观点

　　存储器是半导体产业规模最大的分支之一，目前供应仍以美、日、韩大厂主导：根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)的统计，2024年，全球半导体市场销售额约6305.49亿美元，其中，逻辑电路销售额约为2157.68亿美元，存储芯片销售额约为1655.16亿美元。根据闪存市场数据显示，2024年第四季度全球NAND Flash市场规模为174.1亿美元，环比减少8.5%，同比增长42.4%。在这一领域，排名前五的企业分别是三星、SK海力士、铠侠、美光和西部数据，这五家企业共占据了全球92.7%的市场份额。2024年第四季度全球DRAM市场规模攀升至293.45亿美元，环比增长13.5%，同比增幅高达66.1%。在这一细分领域，三星、SK海力士、美光、南亚和华邦占据前五，五家企业合计市场份额达95.7%。

　　AI推动HBM火爆，DRAM持续迈入3D时代：chatGPT的爆火和AGI的繁荣，除了推动了AI芯片需求暴增，也推动了HBM的爆火。根据Yole Group发布的市场与技术分析报告：《Status of the Memory Industry2025》显示，在AI工作负载激增和行业战略性转向HBM（高带宽内存）的背景下，全球内存市场强势复苏，HBM市场将在2030年前保持33%的年复合增长率，届时其营收将超过DRAM市场总营收的50%。

　　NAND合约价预计季增，1000层时代将至：根据TrendForce集邦咨询最新调查，NAND Flash市场历经2025年上半年的减产与库存去化，供需失衡情况已明显改善。随着原厂转移产能至高毛利产品，市场流通供给量缩减。需求面则有企业加码AI投资，以及NVIDIA（英伟达）新一代Blackwell芯片大量出货支撑。展望第三季NAND Flash价格走势，预估平均合约价将季增5%至10%。根据2024年06月21日华尔街见闻报道，铠侠在首尔举行的IWM2024会议上概述了1,000层3D NAND的技术路线图，3D NAND1000层时代将至。

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　　风险提示：贸易摩擦及政策变动风险、市场竞争加剧风险、技术迭代风险。